삼성전자 황유상 펠로우가 제55회 발명의 날 기념식에서 ‘은탑산업훈장’을 수상했다.

황유상 펠로우는 미세 Patterning 혁신 기술을 개발해 10nm급 D램 제품 세계 최초 개발을 선도했다. 또한, D램 구조에 대한 다수의 핵심기술 발명으로 국내 D램 산업 경쟁력 확보에 기여했다.

그는 데이터 저장 공간을 확장하는 혁신구조와 기생 정전용량 저감 기술도 개발했다. 두 기술 개발로 D램 미세화와 핵심 기술 경쟁력을 확대하는데 기여했다.

기술 개발에서 나아가 D램 개발을 위한 로드맵을 구축하고 새로운 패러다임 전환 기술 제안을 통해 산업기술 경쟁력을 높였다.

D램 핵심 구조 및 미래 기술 관련 원천 기술을 확보하기 위한 노력도 있다. 구조 등 한계 극복 기술 개발을 통한 관련 특허를 140건 이상 등록해 반도체 원천 기술 자산화를 통한 국가 산업 경쟁력 확대에 기여했다.

황유상 펠로우는 반도체학회 메모리 기술 및 아시아 위원장으로 활동하며 기술 방향 영향력을 확대했다. 또 반도체학술대회 학술위원장으로 활동하는 등 메모리 업계 동향 파악과 산·학계 전파로 산업기술과 학문발전에 공헌 중이다.