삼성전자, 8배 빠른 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 개발

특허뉴스 | 기사입력 2011/02/21 [11:50]

삼성전자, 8배 빠른 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 개발

특허뉴스 | 입력 : 2011/02/21 [11:50]

삼성전자, 8배 빠른 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 개발

1초에 DVD급 영화 2편 전송…2013년부터 4Gb 제품 본격 공급

삼성전자는 21일 기존 모바일 D램 보다 8배 빠른 차세대 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 개발했다고 밝혔다. 

이번에 개발한 제품은 50나노급(나노:10억분의 1) 공정을 적용한 1Gb(기가비트, Giga bit) ‘WIDE IO 모바일 D램’으로 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s(Giga Byte per Second)보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 가지고 있다. 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도다.

‘WIDE IO 모바일 D램’은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘여, 초당 데이터 전송속도를 획기적으로 증가시켰고 소비전력도 87%를 절감할 수 있다.

삼성전자는 이번에 개발한 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 기술을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화해 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이다.

삼성전자는 이 달 20일부터 24일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 세계 3대 반도체 학회 중 하나인 국제반도체학술회의(ISSCC, The International Solid-State Circuits Conference)에서 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 기술 논문을 소개한다.

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